这是一款单相车载充电器（OBC）设计参考方案，该方案基于第三代功率半导体（SiC）碳化硅MOSFET(650V/80mohm)、碳化硅二极管650V/10A（SBD JBS）可实现系统高频、高效（＞95%）及高功率密度，满足AEC-Q车规可靠性认证。采用交错BOOST PFC+LLC拓扑架构，交错开关机软开关设计，减小损耗同时可以有效的改善系统EMC环境。该方案同时也可应用与高端服务器电源、通讯电源、电池充电、航空航天等行业